近日，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司（以下简称“中欣晶圆”）多项研发成果集中落地，7月共有9项自主研发技术获得国家发明专利授权。

对半导体材料企业来说，发明专利是衡量核心技术实力的重要标尺。单月斩获9项发明专利，既是企业长期坚持研发投入的产出，也为突破半导体硅片关键核心技术、加速高端硅基材料国产化替代筑牢技术根基。本次新增专利瞄准半导体硅片生产工艺痛点，覆盖长晶切割、外延制造、制程环保三大核心领域，为产品提质、产能增效、绿色低碳发展提供技术支撑。

截至目前，中欣晶圆累计授权专利超300项，在审发明专利700余项，技术布局覆盖单晶生长、硅片加工、外延技术等多个方向。本次9项专利集中授权，是公司多地研发体系协同攻关的成果，企业综合技术实力得到进一步夯实。

伴随全球半导体产业持续发展，硅片国产替代进程持续提速。中欣晶圆依托前瞻性产业布局与稳健的产能爬坡节奏，经营态势持续向好，成长动能不断释放。

产能规模上，公司实现稳步攀升：

2025年5月全品类硅片月产规模突破百万片；

2026年3月提升至120万片；

7月产能进一步突破130万片，持续刷新自身产能纪录。经营业绩同步走高，2026年上半年，公司实现营业总收入12.34亿元，同比增长57.69%，核心硅片业务收入同比增长57.45%，增速处于行业前列。

在规模增长的同时，核心技术攻关同样取得关键进展：公司成功拉制首根12英寸重掺砷/重掺硼〈111〉晶棒。该成果攻克大尺寸重掺〈111〉晶棒多项行业共性技术难题，进一步完善国内12英寸高端重掺硅片产品矩阵，助力高端半导体硅材料国产化替代。

下一步，中欣晶圆将持续以技术创新为驱动，围绕行业痛点与客户实际需求开展技术攻坚，依靠工艺迭代实现产品品质与运营效率双重提升，为国内半导体产业高质量发展持续赋能。