中欣晶圆在高端衬底材料领域实现重要突破，自主研发的“8英寸氮化镓外延制备用重掺硼超厚抛光硅片”凭借多项核心工艺创新，成功打破该类型衬底片长期依赖进口的局面，填补了国内相关技术空白。

该产品基于超厚硅片制造、低表面粗糙度控制、金属Cu控制、硅片平整度与曲度控制、分段式涂蜡工艺、特殊硅片背面薄膜生长以及抛光面颗粒控制等关键技术，全面满足客户在外延制备中的高性能需求。

目前，该产品已稳定供应国内多家氮化镓外延及器件制造企业，性能指标对标国际先进水平，获得市场高度认可。基于该衬底开发的氮化镓功率器件已广泛应用于5G/6G通信、激光雷达、新能源汽车、航空航天、国防军工等关键领域。

在9月23日开幕的第25届中国国际工业博览会新材料产业展区中，中欣晶圆携该产品亮相，并荣获本届工博会“CIIF新材料奖”，成为该奖项中唯一获奖的半导体材料企业，进一步彰显了其在高端衬底材料领域的领先实力。

展会期间，中欣晶圆展位吸引了众多政府代表、企业领导及行业专家驻足交流。作为国家高新技术企业，中欣晶圆将持续推进技术创新，助力国产半导体材料产业实现更高水平自主发展。